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Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor
Iraj Sadegh Amiri, Mahdiar Ghadiry
69,95 €
+ 139 points
Description
Provides analytical models for lateral electric field and length of velocity saturation region of graphene nanoribbon based field effect transistors (GNR-based FETs)
Discusses an analytical model for the ionization coefficient and breakdown voltage of GNR-based FETs
Presents simulations for GNR-based FETs in terms of breakdown voltage and calculates the maximum operating voltage of the typical GNRFETs at different conditions
Discusses an analytical model for the ionization coefficient and breakdown voltage of GNR-based FETs
Presents simulations for GNR-based FETs in terms of breakdown voltage and calculates the maximum operating voltage of the typical GNRFETs at different conditions
Spécifications
Parties prenantes
- Auteur(s) :
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 86
- Langue:
- Anglais
- Collection :
Caractéristiques
- EAN:
- 9789811065491
- Date de parution :
- 16-11-17
- Format:
- Livre broché
- Format numérique:
- Trade paperback (VS)
- Dimensions :
- 155 mm x 235 mm
- Poids :
- 1765 g
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