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Defects in Semiconductors

Volume 91

Livre relié | Anglais | Semiconductors and Semimetals | n° 91
415,95 €
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Description

This volume, number 91 in the Semiconductor and Semimetals series, focuses on defects in semiconductors. Defects in semiconductors help to explain several phenomena, from diffusion to getter, and to draw theories on materials' behavior in response to electrical or mechanical fields.

The volume includes chapters focusing specifically on electron and proton irradiation of silicon, point defects in zinc oxide and gallium nitride, ion implantation defects and shallow junctions in silicon and germanium, and much more. It will help support students and scientists in their experimental and theoretical paths.

Spécifications

Parties prenantes

Editeur:

Contenu

Nombre de pages :
458
Langue:
Anglais
Collection :
Tome:
n° 91

Caractéristiques

EAN:
9780128019351
Date de parution :
26-05-15
Format:
Livre relié
Format numérique:
Genaaid
Dimensions :
152 mm x 229 mm
Poids :
839 g
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