Hf-Based High-k Dielectrics | Young-Hee Kim, Jack C. Lee | Énergie | 9781598290042 | Librairie Club

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Description

In this work, the reliability of HfO2 (hafnium oxide) with poly gate and dual metal gate electrode (Ru-Ta alloy, Ru) is investigated. Hard breakdown and soft breakdown, particularly the Weibull slopes, are studied under constant voltage stress. Dynamic stressing is also used. The combination of trapping and detrapping contributed to the enhancement of the projected lifetime.

Spécifications

Parties prenantes

Auteur(s) :

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Contenu

Nombre de pages :: 92

Collection :

Caractéristiques

EAN:: 9781598290042

Date de parution :: 30-06-05

Format:: Livre broché

Dimensions :: 187 mm x 235 mm

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