Cet ouvrage s'inscrit dans le cadre des publications du collège scientifique et technique de Thomson-CSF. Il capitalise la longue expérience du Groupe Thomson-CSF dans le domaine de la Compatibilité électromagnétique et Nucléaire.

Le formidable développement de l'électronique fait apparaître des besoins sans cesse croissants en Compatibilité électromagnétique et en « durcissement » aux radiations nucléaires. Les auteurs ont voulu rassembler en un seul ouvrage des connaissances généralement dispersées et présenter de façon concise, un état de l'art, aux techniciens et ingénieurs confrontés à ce type de problème.

SOMMAIRE

Chapitre 1 - Compatibilité électromagnétique : définition et enjeux

Chapitre 2 - L'architecture d'un simulateur CEM : l'approche topologique : 2.1. Le cahier des charges d'un simulateur industriel - 2.2. Les différentes approches quantitatives - 2.3. L'approche topologique - 2.4. L'architecture du simulateur

Chapitre 3 - La faradisation des systèmes : 3.1. Les mécanismes physiques mis en jeu - 3.2. La diffraction : les sources équivalentes internes localisées - 3.3. La diffusion : les sources équivalentes internes réparties - 3.4. Le couplage sur les lignes internes - 3.5. Les méthodes de caractérisation des éléments constitutifs

Chapitre 4 - L'interconnexion des systèmes : 4.1. Présentation du problème - 4.2. Formulation du couplage sur les lignes monofilaires placées à l'intérieur de structures - 4.3. Rappels théoriques concernant les lignes multifilaires

Chapitre 5 - La spécification des éléments constitutifs : 5.1. Méthode pratique d'utilisation des outils algorithmiques définis dans les chapitres 2, 3 et 4 - 5.2. La répartition des contraintes

Chapitre 6 - Compatibilité nucléaire : définition et enjeu : 6.1. Notions de compatibilité nucléaire - 6.2. Les spécificités de la compatibilité nucléaire : pourquoi est-ce différent de la compatibilité électromagnétique

Chapitre 7 - Matière, rayonnements, interactions : 7.1. Notions de physique nucléaire - 7.2. Mécanismes d'interaction - 7.3. Traduction macroscopique des mécanismes d'interaction - 7.4. Les codes d'interaction

Chapitre 8 - Environnements radiatifs : 8.1. Introduction - 8.2. Explosions nucléaires exoatmosphériques - 8.3. Explosions nucléaires endoatmosphériques - 8.4. Environnement spatial - 8.5. Environnement atmosphérique - 8.6. Autres environnements

Chapitre 9 - Les différents effets radiatifs et le durcissement technologique associé : 9.1. Les effets de dose cumulée - 9.2. Les effets de débit de dose - 9.3. Les effets de la fluence neutronique - 9.4. Les effets des ions lourds et des protons

Chapitre 10 - Protections aux niveaux composant, circuit, système : 10.1. Introduction - 10.2. Niveau technologie / composant - 10.3. Niveau circuit - 10.4. Niveau système - 10.5. Conclusion

Chapitre 11 - Normes et assurance durcissement : 11.1. Introduction - 11.2. Aspects normatifs - 11.3. Assurance durcissement nucléaire - 11.4. Assurance durcissement spatiale

ANNEXES : Annexe 1 - Éléments bibliographiques - Annexe 2 - Éléments de fabrication des composants électroniques - Annexe 3 - Évolution de la micro-électronique - Annexe 4 - Technologie sur isolant - Annexe 5 - Banques de données et revues