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Nanoscale Memory Repair

Masashi Horiguchi, Kiyoo Itoh
Livre broché | Anglais | Integrated Circuits and Systems
125,95 €
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Description

Yield and reliability of memories have degraded with device and voltage scaling in the nano-scale era, due to ever-increasing hard/soft errors and device parameter variations. This book systematically describes these yield and reliability issues in terms of mathematics and engineering, as well as an array of repair techniques, based on the authors' long careers in developing memories and low-voltage CMOS circuits. Nanoscale Memory Repair gives a detailed explanation of the various yield models and calculations, as well as various, practical logic and circuits that are critical for higher yield and reliability.

Spécifications

Parties prenantes

Auteur(s) :
Editeur:

Contenu

Nombre de pages :
218
Langue:
Anglais
Collection :

Caractéristiques

EAN:
9781461427940
Date de parution :
24-02-13
Format:
Livre broché
Format numérique:
Trade paperback (VS)
Dimensions :
156 mm x 234 mm
Poids :
326 g
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