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Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices
Yue Hao, Jin Feng Zhang, Jin Cheng Zhang
Livre broché | Anglais
91,95 €
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Format
Description
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.
Spécifications
Parties prenantes
- Auteur(s) :
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 392
- Langue:
- Anglais
Caractéristiques
- EAN:
- 9780367574369
- Date de parution :
- 30-06-20
- Format:
- Livre broché
- Format numérique:
- Trade paperback (VS)
- Dimensions :
- 178 mm x 254 mm
- Poids :
- 680 g
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