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Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations
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Description
This book provides a broad examination of redox-based resistive switching memories (ReRAM), a promising technology for novel types of nanoelectronic devices, according to the International Technology Roadmap for Semiconductors, and the materials and physical processes used in these ionic transport-based switching devices.
Spécifications
Parties prenantes
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 383
- Langue:
- Anglais
- Collection :
Caractéristiques
- EAN:
- 9783030424268
- Date de parution :
- 16-10-22
- Format:
- Livre broché
- Dimensions :
- 155 mm x 18 mm
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