- Retrait en 2 heures
- Assortiment impressionnant
- Paiement sécurisé
- Toujours un magasin près de chez vous
- Retrait gratuit dans votre magasin Club
- 7.000.0000 titres dans notre catalogue
- Payer en toute sécurité
- Toujours un magasin près de chez vous
Description
Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
Spécifications
Parties prenantes
- Auteur(s) :
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 252
- Langue:
- Anglais
- Collection :
Caractéristiques
- EAN:
- 9783709119334
- Date de parution :
- 23-08-16
- Format:
- Livre broché
- Format numérique:
- Trade paperback (VS)
- Dimensions :
- 170 mm x 244 mm
- Poids :
- 430 g
Seulement chez Librairie Club
+ 518 points sur votre carte client de Librairie Club
INSPIRATION
Les avis
Nous publions uniquement les avis qui respectent les conditions requises. Consultez nos conditions pour les avis.