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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Zhiqiang Li
54,45 €
+ 108 points
Format
Description
This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600 and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10-7 -cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node.
Spécifications
Parties prenantes
- Auteur(s) :
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 59
- Langue:
- Anglais
- Collection :
Caractéristiques
- EAN:
- 9783662496817
- Date de parution :
- 24-03-16
- Format:
- Livre relié
- Dimensions :
- 162 mm x 11 mm
- Poids :
- 253 g
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